Gamintojo produkto numeris:
BSB012N03LX3 G
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
BSB012N03LX3 G-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 30V 39A/180A 2WDSON
Išsami aprašymas:
N-Channel 30 V 39A (Ta), 180A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
Inventorius:
12801744
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
BSB012N03LX3 G Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
-
Serijos
OptiMOS™
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
39A (Ta), 180A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
1.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.2V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
169 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
16900 pF @ 15 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Darbinė temperatūra
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
MG-WDSON-2, CanPAK M™
Pakuotė / dėklas
3-WDSON
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
BSB012N03LX3G
BSB012N03LX3 G-DG
SP000597846
BSB012N03LX3 GDKR-DG
BSB012N03LX3 GDKR
BSB012N03LX3GTR
BSB012N03LX3 GCT
BSB012N03LX3GXT
BSB012N03LX3GDKR
BSB012N03LX3GXUMA1
BSB012N03LX3 GTR-DG
BSB012N03LX3 GCT-DG
BSB012N03LX3GCT
Standartinis paketas
5,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
3 (168 Hours)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
CMS45P03H8-HF
MOSFET P-CH 30V 9.6A/45A DFN5X6
BSC010N04LSIATMA1
MOSFET N-CH 40V 37A/100A TDSON
IPA60R180P7XKSA1
MOSFET N-CHANNEL 650V 18A TO220
